삼성전자, 'HBM 8배 성능' 차세대 3D 메모리 공개

Toiss 큐레이션: theqoo, clien, ruliweb 등 5개 출처에서 감지된 이슈를 출처 수, 조회 1, 댓글 2, 추천 1 신호로 묶어 검토했습니다. 삼성전자, FMS 2026서 차세대 3D 메모리 비전 제시 삼성전자가 8월 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업(Mock-up)을 업계 최초로 공개하고, AI 시대를 이끌 차세대 메모리 기술 비전을 제시했다. * 목업: 제품의 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형 삼성전자는 FMS 2026에서 약 20평의 규모의 최대 전시 공간을 마련하고, AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 선보였다. 전시 공간은 ▲Highlight ▲Cloud AI ▲Edge AI 존으로 구성했으며, D램부터 NAND, 스토리지에 이르는 폭넓은 메모리 포트폴리오를 중심으로 약 30개 제품을 전시해 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다. 행사 첫날인 8월 4일 오전 11시 40분(현지시간)에는 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 ‘Driving the wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture’을 주제로 기조연설을 진행했다. 두 연사는 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다. 특히 기조연설에서 400단 이상의 V10 BV-NAND를 업계 최초로 공개하며, 차세대 NAND 기술 경쟁력을 선보였다. * BV: Bonding Vertical의 약자로, 셀과 회로를 분리 제작한 후 수직으로 접합하는 기술 zHBM, zNAND-O 목업 최초 공개, 차세대 3D 메모리 방향 제시 삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 공개하고, 미래 AI 시스템을 위한 새로운 메모리 기술 방향을 제시했다. HPC 및 AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서, 기존 HBM만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있다. 이에